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Intel、臺積電、三星激戰2nm 三巨頭先進工藝制程進度一覽快訊

快科技 2025-04-03 10:42
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導讀

業界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉,將會比臺積電2nm更早導入晶背供電技術,18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節點。

4月3日消息,日前舉辦的Vision 2025大會上,Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產。

此舉為“四年五個節點(5N4Y)”計劃立下關鍵里程碑。按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節點。

值得關注的是,此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相,業界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。

Intel 18A工藝將全球首次同時采用PowerVia背面供電和RibbonFET柵極環繞(GAA)晶體管技術,臺積電則會在今年下半年2nm使用Nanosheet晶體管技術、2026年下半年導入超級電軌(Super Power Rail),2027年進行1.4nm風險性試產。

半導體從業者透露,若Intel 18A推進順利,將會比臺積電2nm更早導入晶背供電技術。

至于三星,雖然最早導入GAAFET晶體管技術,但良率始終未達量產水準。目前則主要關注三星自家Exynos 2600芯片,是否會在5月投入生產。

不過,三星預計2027年才會在SF2Z加上背面供電技術,推進上較競爭對手相對緩慢。

在三巨頭往2nm前進之際,日本Rapidus也不容小覷。據悉,其北海道千歲市的2nm晶圓廠試產產線計劃將在本月啟用,瞄準2027年開始量產。

綜合來看,臺積電在先進工藝制程上有比較明顯的速度優勢,Intel正在新CEO的帶領下奮起直追,成敗關鍵就看18A是否能如期量產達成目標。(朝暉)

Intel 技術 工藝 nm 臺積電
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