三星電子西安NAND閃存產能擴建項目將于月底動工通信
導讀
有消息稱，三星電子西安NAND閃存生產線擴建項目將于本月底正式動工。
3月14日訊，據韓聯社報道，有消息稱，三星電子西安NAND閃存生產線擴建項目將于本月底正式動工。
相關資料顯示，早在2017年的8月30日，陜西省政府便與韓國三星電子簽署合作協議，宣布三星電子將在西安高新區建設三星電子存儲芯片二期項目，已確定的首次投資為70億美元（約合463億元）。
據悉，三星電子存儲芯片項目于2014年5月建成投產，一期總投資100億美元于2016年上半年全部完成。
三星與西安高新區的合作早已有之。2013年底，三星投資5億美元，建設閃存芯片生產項目的后工程—封裝測試項目，并于2015年4月竣工投產；2016年3月，三星電子在西安高新區設立了三星半導體中國區銷售總部—三星半導體（西安）有限公司；2016年9月，三星電子決定增資3.7億美元啟動封裝測試項目二期建設，項目于2017年上半年完成，至此西安工廠承擔部分韓國芯片工廠產品的封裝測試工作，其產能提升到年產1000萬塊固態硬盤。
與此同時，三星電子也在加強對國內設備線的投資。2月24日，三星電子在華城半導體工廠內舉行了極紫外光（EUV）生產線動工儀式。
（來源：藍鯨TMT網）
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