格芯宣布斥資5.75億美元在美國紐約州建設先進封裝和光子學中心快訊
導讀
美國聯邦政府將為此對格芯追加提供 7500 萬美元（當前約 5.48 億元人民幣）的《CHIPS》法案直接資金，將在其位于美國紐約州馬耳他的生產基地內部興建一個先進封裝和光子學中心，未來 10 年還將為該中心的研發工作追加投資 1.86 億美元（當前約 13.58 億元人民幣）。
1 月 21 日消息，格芯 GlobalFoundries 美國當地時間 17 日宣布，將在其位于美國紐約州馬耳他的生產基地內部興建一個先進封裝和光子學中心，在美國本土提供一系列關鍵領域“基礎芯片”的全流程制造能力。
格芯馬耳他先進封測中心的初期投資規模為 5.75 億美元（備注：當前約 41.98 億元人民幣），未來 10 年還將為該中心的研發工作追加投資 1.86 億美元（當前約 13.58 億元人民幣）。
美國聯邦政府將為此對格芯追加提供 7500 萬美元（當前約 5.48 億元人民幣）的《CHIPS》法案直接資金；紐約州也將補充 2000 萬美元（當前約 1.46 億元人民幣）支持。
格芯表示其新的先進封裝和光子學中心將：提供差異化硅光子學平臺的先進封裝、組裝和測試；為敏感行業提供可信賴的全流程交鑰匙后端解決方案；擴大 3D 和異構集成封測的生產能力。（溯波）
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